パワーデバイス に関する研究情報の一覧です高精度テラヘルツエリプソメトリにより GaNやSiCなどの半導体評価精度を10倍以上に向上６Ｇ用の高速パワーデバイスへ！ N極性でGaN on AlNを世界で初めて実現！＼ナノビームX線回折法で実現！／ GaN結晶中の転位が引き起こす歪み分布を非破壊で検出新発見!次世代半導体GaNは高純度で光りにくさの理由が変わる
