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６Ｇ用の高速パワーデバイスへ！ N極性でGaN on AlNを世界で初めて実現！
大阪大学大学院基礎工学研究科の林侑介助教、藤平哲也准教授、酒井朗教授、三重大学大学院工学研究科の三宅秀人教授、コーネル大学のZexuan Zhang氏、Yongjin Cho博士、Huili Xing教授、Debdeep ...
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大阪大学発 自慢の研究をあなたに
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2022
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高精度テラヘルツエリプソメトリにより GaNやSiCなどの半導体評価精度を10倍以上に向上
大阪大学レーザー科学研究所の中嶋誠准教授、Agulto, Verdad C. (アグルト, ヴァーダッド C.)特任研究員、Mag-usara, Valynn K. (マグウサラ, ヴァリン ...
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2021
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新発見!次世代半導体GaNは高純度で光りにくさの理由が変わる
大阪大学大学院工学研究科の大学院生 佐野 昂志さん（博士前期課程）、市川 修平准教授、小島 一信教授は、住友化学株式会社 藤倉 序章氏、今野 泰一郎氏、金木 奨太氏と協力し、全方位フォトルミネッセンス(ODPL)法を用いて、高純度な窒化ガリウム(GaN)結晶における“光りにくさ”の主要因が、従来のGaN結晶とは異なるこ...
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大阪大学発 自慢の研究をあなたに
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2024
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【特選!!2024年5月・6月の8選】最先端の研究を見逃したくない、あなたに。
【2024/7/4UP!!】最先端の研究を見逃したくない、あなたのために。2024年5月・6月に大阪大学から発表したResOU掲載の研究成果で、注目を集めた8つの記事をまとめました。 一度ご覧になった方も、初めてご覧になる方も、あらためてご堪能ください。
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より濃厚に研究を味わいたい方へ
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【特選!!2024年6月・7月の8選】最先端の研究を見逃したくない、あなたに。
【2024/8/16UP!!】最先端の研究を見逃したくない、あなたのために。2024年6月・7月に大阪大学から発表したResOU掲載の研究成果で、注目を集めた8つの記事をまとめました。 一度ご覧になった方も、初めてご覧になる方も、あらためてご堪能ください。
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＼ナノビームX線回折法で実現！／ GaN結晶中の転位が引き起こす歪み分布を非破壊で検出
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2024
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＼SiCパワーデバイスの利便性アップ！／ SiC MOSデバイスの性能・信頼性を向上する新手法
大阪大学大学院工学研究科の小林拓真准教授、藤本博貴さん（博士後期課程）、神畠真治さん（当時 博士前期課程）、八軒慶慈さん（博士前期課程）、原征大助教、渡部平司教授の研究グループは、希釈水素熱処理(図1)によるSiC MOSデバイスの性能及び信頼性向上を達成しました。 ...
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2025
