パワー半導体の非破壊・非接触評価の新手法の提案

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe81481d970 oid 0x29d73d in <Connection at 7fe889338c40>>

2021-09-15

natural_sciences

{'items': [{'key': '25j2', 'term': '窒化ガリウム (GaN)', 'description': {'blocks': [{'key': 'c0nqp', 'text': ' 窒化ガリウム（GaN）は、5G機器はもちろん様々なパワーエレクトロニクス機器において、現在、技術的に最も重要な半導体の1つであり、100GHz以上で動作する未来の6G機器に対する代表的な候補材料でもあります。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '4us0m', 'term': 'テラヘルツ時間領域エリプソメトリ', 'description': {'blocks': [{'key': '9v0i', 'text': ' テラヘルツ時間領域エリプソメトリは、テラヘルツ時間領域分光（THz-TDS）を基盤とした透過しない材料を対象とした分光手法です。THz-TDSはテラヘルツ波を用いて物性を調べる技術で、テラヘルツ波は紫外線やX線と違い、エネルギーが低いため観測対象を壊しません。THz-TDSは半導体やその他の物質の遠赤外領域における誘電率や電気特性を測定するのに幅広く使われます。テラヘルツ時間領域エリプソメトリは、反射型の反射光の偏光変化より物質情報を抽出する手法であり、THz-TDSに比べて、リファレンスフリーでの計測が可能などの利点を持ちます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'di15t', 'term': 'テラヘルツ波（THz波）', 'description': {'blocks': [{'key': 'bl4ao', 'text': ' テラヘルツ波は周波数が1012 Hz付近、特に波長が3 mmから30 μm（0.1～10 THz）の領域の電磁波です。テラヘルツ波は材料解析のような科学的な応用の他に医療分野における画像化やセキュリティ分野における検査や遠距離通信技術などの技術にも使われます。電波よりも高い周波数のテラヘルツ波は高周波数動作機器や高速、超高帯域通信を可能にします。このようにテラヘルツ波はbeyond 5G/6Gの通信技術の鍵になると考えられています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 14, 'length': 2, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'c6nkj', 'term': '誘電率', 'description': {'blocks': [{'key': '21kcu', 'text': ' 誘電率は物質の誘電分極のしやすさを表し、複素誘電率は複素屈折率によって表すこともできます。複素屈折率は物質の光の伝搬を記述する物性量で、実部は伝搬の速さを表す屈折率で、虚部は物質内を伝搬する光の減衰の強さを表す消光係数です。光はエネルギーの一部が結晶の原子によって吸収される（フォノン吸収）時や物質内の自由電子による吸収によって減衰します。したがって、誘電率から自由電子による伝導特性が評価できます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'e39nv', 'term': 'TeraEvaluator', 'description': {'blocks': [{'key': '1g181', 'text': ' TeraEvaluatorは大阪大学レーザー科学研究所との共同研究により日邦プレシジョン(株)にて開発されたテラヘルツ時間領域エリプソメータです。テラヘルツ波が透過しない材料の複素屈折率／誘電率スペクトルを精度良く測定可能です。GaNの他、Siをはじめ、SiC等の半導体に利用可能。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}, {'key': 'biovd', 'text': 'https://terahertzwave.com/ ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [{'offset': 0, 'length': 26, 'key': 0}], 'data': {}}], 'entityMap': {'0': {'type': 'LINK', 'mutability': 'MUTABLE', 'data': {'url': 'https://terahertzwave.com/'}}}}}]}

['ile']

['中嶋誠', 'Agulto, Verdad C. (アグルト, ヴァーダッド C.)', 'Mag-usara, Valynn K. (マグウサラ, ヴァリン K.)', '吉村政志', '森勇介', '今西正幸']

テラヘルツ時間領域エリプソメトリは、通常のエリプソメトリと異なり、試料で反射したテラヘルツ波時間波形の変化(振幅情報と位相情報)を利用する新しい分光手法です。これまで反射型のテラヘルツ時間領域分光法では、位相情報を正しく取得することが困難でしたが、本発表の手法により、振幅・位相情報ともに高精度に取得できることになり、大幅な性能改善につながりました。半導体・パワーデバイス等の評価だけでなく、6G材料評価などに、非常に有効な分光システムの開発に成功しました。

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中嶋誠

准教授

レーザー科学研究所

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/4e9648b8087ba555.html?k=%E4%B8%AD%E5%B6%8B%E8%AA%A0