大面積・低コストでの実現を視野に

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2022-09-10

engineering

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': '622o2', 'text': '窒化ガリウム（GaN）に代表される六方晶ウルツ鉱型の窒化物半導体はc軸方向に反転対称性をもたないため、金属極性とN極性の２種類の結晶方向が存在する。安定な金属極性での結晶成長が主流だが、高速パワーデバイスで高い性能を期待できるN極性での結晶成長に注目が集まっている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'et2c9', 'term': '窒素(N)極性'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'chmds', 'text': '窒化ガリウム（GaN）、窒化アルミニウム(AlN)はともに六方晶ウルツ鉱構造をもつ窒化物半導体で、それぞれ3.4 eV、6.0 eVのバンドギャップエネルギーをもつ。GaNをAlN基板上に成長させるGaN on AlNでは、既存のGaNトランジスタよりも高密度の2次元電子ガスおよび2次元正孔ガスを発生させることができるため、次世代の高速パワーデバイスの材料系として期待されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '3b6sk', 'term': '窒化アルミニウム上窒化ガリウム（N極性GaN on AlN）'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'cq08u', 'text': '半導体のヘテロ接合界面に生じるシート状の高移動度電子。AlGaN/GaN界面の2次元電子ガスは約2000 cm2V-1s-1の優れた電子移動度を実現できる。AlGaN中のAlN比率を上昇させるとGaNとの電気分極差が大きくなり電子密度を増やすことができるが、GaNとの格子定数差も大きくなり高品質な結晶成長が難しくなるため、一般に20～３０％のAlN比率が使用されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 55, 'length': 1, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 57, 'length': 2, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 60, 'length': 2, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'p71g', 'term': '2次元電子ガス'}]}

['es']

['林侑介', '藤平哲也', '酒井朗']

林侑介

助教

基礎工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/9d49886b974b2ba4.html?k=%E6%9E%97%E4%BE%91%E4%BB%8B