高温での希釈水素熱処理が鍵

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7f17f721c580 oid 0x6f0fed in <Connection at 7f189fb235b0>>

2025-08-26

engineering

{'items': [{'key': '1sqn8', 'term': 'シリコンテクノロジー', 'description': {'blocks': [{'key': 'bhsh4', 'text': '半導体における基本材料「シリコン」を中心とした技術領域であり、現代のコンピュータのCPUやメモリに加え、光通信機器や太陽電池等、様々な応用をカバーしている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'dr97q', 'term': '希釈水素熱処理', 'description': {'blocks': [{'key': '9as4s', 'text': '不活性ガスにより数%程度に希釈された水素雰囲気下での熱処理。水素の爆発限界を下回っているため、安全なプロセスである。一般に半導体の表面や界面に存在する欠陥を水素によって不活性化あるいは除去し、デバイス特性や信頼性を向上する効果がある。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '10d5', 'term': 'SiC MOSデバイス', 'description': {'blocks': [{'key': '6sakc', 'text': '高い絶縁破壊電界など、優れた物性を有する炭化ケイ素(SiC)を用いた金属-酸化膜-半導体(MOS)構造のデバイス。高耐圧・高周波動作のパワーデバイスとして有望である一方で、性能と信頼性の両立に課題がある。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '8mdd', 'term': '信頼性', 'description': {'blocks': [{'key': '2h273', 'text': 'デバイスが長期間安定して動作する能力のことであり、製品の寿命や安全性に直結する。本稿の文脈では、デバイスに正・負電圧ストレスを印加した際のデバイスの安定性を指す。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '4qau1', 'term': 'パワーデバイス', 'description': {'blocks': [{'key': '2ta35', 'text': '高電圧・大電流の環境に耐える、電力変換用の半導体デバイスで、電気自動車や民生品、産業機器等、広範な応用がある。SiCを含む化合物半導体材料が盛んに研究されている技術領域である。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['eng']

['小林拓真', '藤本博貴', '神畠真治', '八軒慶慈', '原 征大', '渡部平司']

SiC MOSデバイスは量産されているものの、その本来の性能や信頼性が未だ発揮できていません。特に従来の不純物導入に基づく技術では、デバイスの特性向上と信頼性劣化のトレードオフが課題でした。今回の成果により、積年の課題解決への糸口がようやく見えてきたと考えています。本研究の過程で多くの困難がありましたが、苦楽を共にした共著者の皆様にこの場を借りて感謝いたします。

https://researchmap.jp/takumakobayashi/avatar.jpg

小林 拓真

准教授

工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/5a9b0b4063dae614.html