表面・界面

2015年12月7日
次世代デバイス開発の扉を開く電子構造を発見

シリコンデバイスの微細化と性能限界の問題が目前になり、次世代デバイスの台頭が待たれています。電子の自由度の1つである電荷を操る「エレクトロニクス」で繁栄した人類をさらに飛躍させる未来型デバイス開発の鍵として、電子が持つもう1つの性質であるスピンをも制御する「スピントロニクス」が注目されています。しか...

2015年9月9日
テラヘルツ波を用いた半導体の新評価手法を開発

大阪大学レーザーエネルギー学研究センターの川山巌准教授らのグループは、株式会社SCREENホールディングスと共同で、レーザー照射によって発生するテラヘルツ波を計測し可視化するレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)により、窒化ガリウム(以下GaN)の表面に存在する欠陥濃度の変化を可視化するこ...

2014年1月22日
世界初! p型およびn型半導体ナノ粒子からなる金属酸化物メソ結晶の合成に成功

大阪大学産業科学研究所 立川貴士助教、真嶋哲朗教授らの研究グループは、1種類もしくは2種類の金属酸化物ナノ粒子からなる金属酸化物メソ結晶を簡便に合成することができる手法の開発に世界で初めて成功しました。また、p型およびn型半導体の特性を示す金属酸化物ナノ粒子からなるメソ結晶では、粒子間で非常に高効率...

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