菅沼克昭

2017年8月30日
次世代パワー半導体のCu電極に対応

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授が開発した銀粒子焼結接合は、低コストでありながら、低温、低圧、大気中の条件でダイアタッチを可能にし、しかも250℃を超える耐熱で高信頼性を実現することから、次世代パワー半導体ダイアタッチの本命として世界に普及が始まっています。 昨年、その接続メカニズムをナノレベ...

2017年1月18日
次世代パワー半導体の3D配線が低コストで可能な技術を開発

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らの研究グループは、独自開発の銀粒子焼結により、次世代パワーエレクトロニクスの高性能3D配線を低コストに実現する技術を開発しました。銀粒子焼結技術は菅沼研究室が開発した技術ですが、200℃程度の低温(他の金属粒子は融点の9割程度で焼結する、銀の融点は962℃)で銀...

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