中村芳明

2015年10月5日
高い電気伝導率を維持したまま熱伝導を自在に制御 熱と電気の同時制御を可能とするナノ構造技術の開発

阪大学大学院基礎工学研究科の中村芳明教授らは、極小なゲルマニウム(Ge)ナノ結晶を、シリコン(Si)中に結晶方位を揃えて埋め込んだ構造を作製しました。本構造では、電流はSi中を流れ、熱伝導はナノ結晶の存在により阻害されるため、高い電気伝導率・低い熱伝導率が同時に実現しています。Geナノ結晶の形状・寸...

2014年12月10日
世界最小熱伝導率の結晶シリコン材料の実現

JST戦略的創造研究推進事業において、大阪大学大学院基礎工学研究科の中村芳明准教授らは、極小なナノドット結晶を結晶方位をそろえて連結した材料を形成する技術を開発しました。本技術によって、電気伝導率の悪化を抑えながら、熱伝導率を巨視的なサイズの結晶であるバルクSiの約1/200まで低減することに成功し...

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