スピンデバイス

2017年7月31日
ゲルマニウム電子デバイス構造中での室温スピン伝導を実証

大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、高性能なスピントロニクス材料(ホイスラー合金)とゲルマニウムへの原子層不純物ドーピング技術を併用した独自のスピン注入・検出技術により、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニ...

2017年4月27日
次世代半導体ゲルマニウム中のスピン伝導現象を解明

大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』と、高性能なスピントロニクス材料を高品質に接合した微小スピン素子を用いて、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現...

2016年9月28日
スピン流を用いた近藤効果の直接検出・制御に成功

大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授、東京工業大学科学技術創成研究院の谷山智康准教授らの研究グループは、高性能なスピントロニクス材料を用いた微小スピン素子において、希薄磁性合金(近藤合金)における近藤効果をスピン流の伝導を介して世界で初めて検出することに成功しました。これまで、希薄磁性合金にお...

2015年11月6日
スピン流を用いて磁気の揺らぎを高感度に検出することに成功

東京大学物性研究所の新見康洋助教(研究当時、現:大阪大学大学院理学研究科准教授)、大谷義近教授、日本原子力研究開発機構 先端基礎研究センターの前川禎通センター長らの研究グループは、磁気の乱れが強い「スピングラス」と呼ばれる状態に、純スピン流を注入することで、超伝導量子干渉素子(SQUID)を用いた磁...

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