原子層制御技術が拓く高性能半導体スピンデバイス

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe8362e6350 oid 0x1d936d in <Connection at 7fe84e58b970>>

2020-06-19 00:00:00

natural_sciences

{'0': {'description': {'blocks': [{'key': '9muuo', 'text': 'シリコン(Si)と同じ結晶構造(ダイヤモンド構造)を持つIV族の半導体で、バンドギャップは約0.7eV。トランジスタの初期の研究は、ゲルマニウムで行われた歴史がある。最近では、Siよりも高い移動度であるという観点から、Siに代わる次世代の半導体チャネル材料として注目されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': 'ゲルマニウム(Ge)'}, '1': {'description': {'blocks': [{'key': '59okq', 'text': 'ホイスラー合金は構成原子が規則正しく配列した規則合金のことであり、その構成元素や規則性に依存して様々な特性を示す。特に、ホイスラー合金磁石では完全にスピン偏極した状態の材料が理論的に予想されており、高性能なスピントロニクス材料として注目を集めている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'ホイスラー合金磁石'}, '2': {'description': {'blocks': [{'key': 'd9vpk', 'text': '電流はアップスピン電子とダウンスピン電子の2種類の電子の流れに分けることができる。一般的に、電流とはこれら2つの和であるのに対し、スピン流は2つの差に相当する。今回の実験では、正味の電流がゼロで、スピン角運動量のみが流れている純スピン流と呼ばれるスピン流を伝導させている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': '純スピン流'}, '3': {'description': {'blocks': [{'key': '9o92g', 'text': 'スピントロニクスデバイスでは、磁石の向きが揃っている(On)時と反対を向いている(Off)時の抵抗変化(磁気抵抗変化)を情報記憶に用いている。磁気抵抗比は、磁気抵抗変化をOn時の抵抗で割った比で、デバイスの性能指標として用いられている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term4', 'term': '磁気抵抗比'}, '4': {'description': {'blocks': [{'key': '68do8', 'text': '電場を印加されたキャリア(電子または正孔)が、固体中(主に半導体中)で移動する際の移動のし易さの指標。単位はcm 2 /V・s、m 2 /V・sなどがある。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 58, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 74, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term5', 'term': '移動度'}, '5': {'description': {'blocks': [{'key': '3igu7', 'text': '極性の異なる電界効果トランジスタ(p-MOSFETとn-MOSFET)を組み合わせた構造を有しており、スマートフォンやネットワークサーバーなど身の回りの電子機器に搭載されている最も重要な半導体デバイスのこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term6', 'term': 'CMOS'}, '6': {'description': {'blocks': [{'key': '9pcct', 'text': '現在、半導体材料として広く使われているSi上に発光、伝送、受光素子などの光デバイスを集積しようとする分野のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term7', 'term': 'Siフォトニクス'}, '7': {'description': {'blocks': [{'key': 'fdk1o', 'text': '半導体中にキャリア(電子または正孔)を生成し、電気伝導特性を発現するための異種元素添加のこと。価数4のSiやGeに電子を生成する場合、価数5のP(リン)やAs(ヒ素)を添加することが多い。今回の実験では、不純物は全てPである。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term8', 'term': '不純物ドーピング技術'}, '8': {'description': {'blocks': [{'key': '6fi4n', 'text': '一つの原子の周りを回る電子はとびとびのエネルギー準位をとる軌道上を動く。その一方で、複数の原子が隣接した場合には、電子の軌道が重なり合うことである幅を持った連続的なエネルギー準位を電子が取りうるようになり、原子間で共有される。このある幅を持った連続的なエネルギー準位のことをエネルギーバンドと呼ぶ。エネルギーバンドの構造は原子の並び方、種類によって異なり、電子の進む方向によっても異なる構造を有している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term9', 'term': 'エネルギーバンド'}, 'items': [{'description': {'blocks': [{'key': '9muuo', 'text': 'シリコン(Si)と同じ結晶構造(ダイヤモンド構造)を持つIV族の半導体で、バンドギャップは約0.7eV。トランジスタの初期の研究は、ゲルマニウムで行われた歴史がある。最近では、Siよりも高い移動度であるという観点から、Siに代わる次世代の半導体チャネル材料として注目されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': 'ゲルマニウム(Ge)'}, {'description': {'blocks': [{'key': '9o92g', 'text': 'スピントロニクスデバイスでは、磁石の向きが揃っている(On)時と反対を向いている(Off)時の抵抗変化(磁気抵抗変化)を情報記憶に用いている。磁気抵抗比は、磁気抵抗変化をOn時の抵抗で割った比で、デバイスの性能指標として用いられている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term4', 'term': '磁気抵抗比'}, {'description': {'blocks': [{'key': '59okq', 'text': 'ホイスラー合金は構成原子が規則正しく配列した規則合金のことであり、その構成元素や規則性に依存して様々な特性を示す。特に、ホイスラー合金磁石では完全にスピン偏極した状態の材料が理論的に予想されており、高性能なスピントロニクス材料として注目を集めている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'ホイスラー合金磁石'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'd9vpk', 'text': '電流はアップスピン電子とダウンスピン電子の2種類の電子の流れに分けることができる。一般的に、電流とはこれら2つの和であるのに対し、スピン流は2つの差に相当する。今回の実験では、正味の電流がゼロで、スピン角運動量のみが流れている純スピン流と呼ばれるスピン流を伝導させている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': '純スピン流'}, {'description': {'blocks': [{'key': '68do8', 'text': '電場を印加されたキャリア(電子または正孔)が、固体中(主に半導体中)で移動する際の移動のし易さの指標。単位はcm 2 /V・s、m 2 /V・sなどがある。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 58, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 74, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term5', 'term': '移動度'}, {'description': {'blocks': [{'key': '3igu7', 'text': '極性の異なる電界効果トランジスタ(p-MOSFETとn-MOSFET)を組み合わせた構造を有しており、スマートフォンやネットワークサーバーなど身の回りの電子機器に搭載されている最も重要な半導体デバイスのこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term6', 'term': 'CMOS'}, {'description': {'blocks': [{'key': '9pcct', 'text': '現在、半導体材料として広く使われているSi上に発光、伝送、受光素子などの光デバイスを集積しようとする分野のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term7', 'term': 'Siフォトニクス'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'fdk1o', 'text': '半導体中にキャリア(電子または正孔)を生成し、電気伝導特性を発現するための異種元素添加のこと。価数4のSiやGeに電子を生成する場合、価数5のP(リン)やAs(ヒ素)を添加することが多い。今回の実験では、不純物は全てPである。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term8', 'term': '不純物ドーピング技術'}, {'description': {'blocks': [{'key': '6fi4n', 'text': '一つの原子の周りを回る電子はとびとびのエネルギー準位をとる軌道上を動く。その一方で、複数の原子が隣接した場合には、電子の軌道が重なり合うことである幅を持った連続的なエネルギー準位を電子が取りうるようになり、原子間で共有される。このある幅を持った連続的なエネルギー準位のことをエネルギーバンドと呼ぶ。エネルギーバンドの構造は原子の並び方、種類によって異なり、電子の進む方向によっても異なる構造を有している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term9', 'term': 'エネルギーバンド'}]}

['es', 'isir']

['山田道洋', '浜屋宏平', '黒田文彬', '福島鉄也', '小口多美夫']