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  1. \電気で“スピン位相”を読み取る!/ スピン流でらせん磁性体のスピン位相を検出

    大阪大学大学院理学研究科物理学専攻の蒋男助教、新見康洋教授らの研究グループは、東邦大学理学部物理学科の大江純一郎教授、大阪公立大学大学院工学研究科電子物理系専攻の戸川欣彦教授と共同で、スピン流を用いた非局所スピンバルブ測定により、らせん磁性体Cr1/3NbS₂のスピン位相と磁気ゆらぎを電気的に検出することに世界で初めて...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
  2. スピントロニクス材料の性能指標の精密計算

    大阪大学産業科学研究所の下出敦夫准教授、南谷英美教授の研究グループは、スピントロニクスの分野で次世代不揮発性メモリへの応用が期待される「スピンホール効果」に関し、その新たな性能指標を実材料に対して高精度に計算するためのプログラムを開発しました。 ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
  3. ナノスケールの薄膜に 磁石などの「新機能」を埋め込む新たな手法

    大阪大学産業科学研究所の森田利明さん(大学院基礎工学研究科博士後期課程)、千葉大地教授(兼 東北大学国際放射光イノベーション・スマート研究センター センター長・教授)らの研究グループは、原子の間隔を人工的に操ったナノ薄膜をつくることに成功し、このナノ薄膜に磁石の性質など新たな機能が内蔵できることを実証しました。 ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
  4. 失われた磁性が触媒の力で回復

    大阪大学産業科学研究所の小山知弘准教授らの研究グループは、磁気デバイスの作製過程で劣化した磁石ナノ薄膜の性質を、貴金属の触媒作用により回復させることに成功しました。 ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
  5. 実用化の壁を超えるスピン力学センサの誕生

    大阪大学産業科学研究所の千葉大地教授(兼 東北大学国際放射光イノベーション・スマート研究センター センター長)らの研究グループは、磁性体ナノ薄膜からなる磁気トンネル接合(MTJ)素子をフレキシブル基材上に形成した「スピン力学センサ」において、実使用環境を想定した高い耐久性を世界で初めて実証しました。 ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2026
  6. 電流に替わる新たな物理量として注目のスピン流。その電流ゆらぎの検出に成功

    荒川智紀(大阪大学大学院理学研究科助教)、小林研介(同教授)、塩貝純一(東北大学金属材料研究所助教)、好田誠(東北大学大学院工学研究科准教授)、新田淳作(同教授)、小野輝男(京都大学化学研究所教授)らは、Dieter ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2015
  7. 金属薄膜のエッジにおける異常な電子スピンの偏りを発見

    東北大学原子分子材料科学高等研究機構の高山あかり研究員(現 東京大学大学院理学系研究科助教)と高橋隆教授、同大学院理学研究科佐藤宇史准教授、大阪大学産業科学研究所小口多美夫教授らの研究グループは、ビスマス(Bi)金属薄膜の端(エッジ)で、電子の運動方向と連動してスピンの向きが揃う「ラシュバ効果」が起きていることを世界で...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2015
  8. スピン流を用いた近藤効果の直接検出・制御に成功

    大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授、東京工業大学科学技術創成研究院の谷山智康准教授らの研究グループは、高性能なスピントロニクス材料を用いた微小スピン素子において、希薄磁性合金(近藤合金)における近藤効果をスピン流の伝導を介して世界で初めて検出することに成功しました。これまで、希薄磁性合金における近藤効果は、電流...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2016
  9. 次世代半導体ゲルマニウム中のスピン伝導現象を解明

    大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』と、高性能なスピントロニクス材料を高品質に接合した微小スピン素子を用いて、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象の詳細を明らかにし...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2017
  10. ゲルマニウム電子デバイス構造中での室温スピン伝導を実証

    大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、高性能なスピントロニクス材料(ホイスラー合金)とゲルマニウムへの原子層不純物ドーピング技術を併用した独自のスピン注入・検出技術により、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』を用いた...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2017
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