半導体素子の高速化・低消費電力化に近づく

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2017-04-27

natural_sciences

{'items': [{'key': 'term1', 'term': 'ゲルマニウム(Ge)', 'description': {'blocks': [{'key': '9j8i3', 'text': 'シリコン(Si)と同じ結晶構造(ダイヤモンド構造)を持つIV族の半導体で、バンドギャップは約0.7eV。トランジスタの初期の研究は、ゲルマニウムで行われた歴史がある。最近では、Siよりも高い移動度であるという観点から、Siに代わる次世代の半導体チャネル材料として注目されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term2', 'term': '純スピン流', 'description': {'blocks': [{'key': 'fan3m', 'text': '電流はアップスピン電子とダウンスピン電子の2種類の電子の流れに分けることができます。一般的に、電流とはこれら2つの和であるのに対し、スピン流は2つの差に相当します。今回の実験では、正味の電流がゼロで、スピン角運動量のみが流れている純スピン流と呼ばれるスピン流を伝導させています。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term3', 'term': 'スピントロニクス', 'description': {'blocks': [{'key': '59g3t', 'text': '電子の電荷とスピン(角運動量)の両方の自由度を積極的に利用することにより、新機能デバイスの開発を目指している研究分野のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term4', 'term': 'スピン散乱', 'description': {'blocks': [{'key': 'b2hdk', 'text': '例えば、アップスピンに偏って生成されている状態(スピン偏極状態)が、何らかの相互作用によってダウンスピン状態に変化した結果、スピン非偏極状態になってしまうこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term5', 'term': '不純物ドーピング', 'description': {'blocks': [{'key': 'c7kls', 'text': '半導体中にキャリア(電子または正孔)を生成するために異種元素を添加すること。価数4のSiやGeに電子を生成する場合、価数5のP(リン)やAs(ヒ素)を添加することが多い。今回の実験では、Pの添加量を変化させている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term6', 'term': '移動度', 'description': {'blocks': [{'key': 'cmjpr', 'text': '電場を印加されたキャリア(電子または正孔)が、固体中(主に半導体中)で移動する際の移動のし易さの指標。単位はcm 2 /V・s、m 2 /V・sなど。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 58, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 74, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['es']

['浜屋宏平']