結果を絞り込む アイテムタイプ すべてを選ぶ/選ばない 研究記事 フォルダ リンク 特集記事 ResOUMailForm STORY記事 画像 研究フォルダ 特集まとめフォルダ Language Root Folder Language Independent Folder STORYフォルダ ある時点以降の新しいアイテム 昨日 先週 先月 いつでも 検索結果 2 アイテムが検索語に該当します ソート基準 関連性 日付（新しいもの順） アルファベット順 絶縁膜と炭化ケイ素（SiC）の界面に局在する 発光中心のエネルギー準位を解明 存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025 ＼SiCパワーデバイスの利便性アップ！／ SiC MOSデバイスの性能・信頼性を向上する新手法 大阪大学大学院工学研究科の小林拓真准教授、藤本博貴さん（博士後期課程）、神畠真治さん（当時 博士前期課程）、八軒慶慈さん（博士前期課程）、原征大助教、渡部平司教授の研究グループは、希釈水素熱処理(図1)によるSiC MOSデバイスの性能及び信頼性向上を達成しました。 ... 存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
