高輝度量子光源の起源に迫る

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2025-02-28

{'items': [{'key': '8gv4c', 'term': '単一光子源', 'description': {'blocks': [{'key': 'ekvq4', 'text': '任意のタイミングで単一の光子（光の最小単位）を放出できる光源。量子技術において重要な機能を担う。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'fk4ab', 'term': '炭化ケイ素（SiC）', 'description': {'blocks': [{'key': '39hpf', 'text': 'ケイ素（Si）：炭素（C）＝1:1で構成される共有結合性の化合物半導体。広い禁制帯幅(電子が存在できないエネルギー領域)を有するため、ワイドギャップ半導体の一つとも言われる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'dc8t', 'term': '発光中心', 'description': {'blocks': [{'key': '3sc55', 'text': '一般に発光を伴う構造体。本研究の文脈では、材料中の欠陥（原子レベルでの構造変位)のうち、発光するものを指す。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '3alvv', 'term': 'エネルギー準位', 'description': {'blocks': [{'key': 'at474', 'text': '原子や分子、電子などの微視的粒子が持つエネルギーの値。本研究の文脈では、電子のとり得るエネルギーを意味している。一般に半導体の発光中心は本来電子が存在できない禁制帯中にエネルギー準位を形成し、準位間の電子遷移に伴って発光する。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '6rak', 'term': '量子技術', 'description': {'blocks': [{'key': '5egff', 'text': '超高速演算を可能とする量子コンピューティングや、原理的に盗聴不能な量子暗号通信、超感度・高空間分解能の量子センシングなどの技術の総称。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'dlqfm', 'term': 'NVセンター', 'description': {'blocks': [{'key': 'c8c1f', 'text': 'ダイヤモンド中に存在する窒素（N)と隣接する空孔（V)からなる点欠陥。量子技術への応用で高い注目を集めている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '383o6', 'term': '電子トラップ', 'description': {'blocks': [{'key': '6etuj', 'text': '半導体や絶縁体中、絶縁膜／半導体界面において、電子を捕獲する欠陥。本来電子が存在できないエネルギー領域である禁制帯中にエネルギー準位を形成することで電子を捕獲する。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['eng']

['小林拓真', '大西 健太郎', '中沼貴澄', '渡部平司']

当研究室(先進デバイス工学領域)では、SiCや窒化ガリウムなどのワイドギャップ半導体の性能向上や新機能開拓に取り組んでいます。半導体研究を通じてエネルギー・環境分野の社会課題解決に貢献すべく、構成員一同研究に励んでいます。今回の研究成果は、大西くん(博士前期課程)が主体的に取り組んだものであり、共同研究先の豊田中央研究所の皆様の強力なバックアップがあって初めて得られたものです。この場を借りて関係各位とJSTさきがけおよび科研費の支援に感謝申し上げます。

https://researchmap.jp/takumakobayashi/avatar.jpg

小林拓真

准教授

工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/5a9b0b4063dae614.html?k=%E5%B0%8F%E6%9E%97%E6%8B%93%E7%9C%9F