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室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測!
大阪大学大学院基礎工学研究科の大木健司さん(博士後期課程)、上田信之介さん(博士前期課程)、浜屋宏平教授、同大学先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 宇佐見喬政講師、熊本大学半導体・デジタル研究教育機構の山本圭介教授、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授らの共同研究グループは、半導体pn接合を有するデバイス構造にお...
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2025
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高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の 信頼性を飛躍的に向上
大阪大学大学院基礎工学研究科の宇佐見喬政助教(研究当時・現:先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 講師)、真田祐彌さん (同研究科修了生・研究当時:大学院博士前期課程)、浜屋宏平教授、大学院工学研究科の白土優准教授らの共同研究グループは、次世代のスピントロニクスデバイスにおける電圧情報書き込み技術として応用が期待され...
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2024
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制御効率は従来材料の50倍! 磁化を持たない反強磁性体のスピンを電圧で制御!
大阪大学大学院工学研究科の白土 優 准教授、同大学院生 氏本 翔さん(博士前期課程 研究当時)、鮫島 寛生さん(博士前期課程)、名古屋大学大学院工学研究科の森山 貴広 教授、三重大学大学院工学研究科の中村 浩次 教授、関西学院大学工学部の鈴木 基寛 教授、高輝度光科学研究センターの河村 直己 ...
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2024
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世界最高性能のスピントロニクス 界面マルチフェロイク構造を実証
大阪大学大学院基礎工学研究科の藤井竣平氏(当時 大学院博士前期課程)、宇佐見喬政特任研究員、浜屋宏平教授、同大学大学院工学研究科の白土優准教授、東京工業大学物質理工学院の合田義弘准教授らの共同研究グループは、スピントロニクスデバイスにおける新たな電圧情報書き込み技術のために、高性能なスピントロニクス界面マルチフェロイク...
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2022
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消費電力 1/10、性能指標 100 倍!世界最高性能の 半導体スピン伝導素子を実証
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2020
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世界初!歪みを加えて半導体デバイス中の電子スピン寿命の延長を実現
大阪大学大学院基礎工学研究科の山田道洋特任助教(常勤)、浜屋宏平教授と、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授ら共同研究グループは、次世代の高速半導体チャネル材料として知られるシリコン-ゲルマニウム(SiGe)結晶に歪みが印加されたスピントロニクスデバイス構造を作製することで、SiGe伝導チャネルの電子構造を人為的に変...
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2020
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IoT産業にきわめて重要な成果柔らかいスピン素子が実用レベルにあることを実証
硬い半導体シリコン(Si)基板上に形成されてきたトンネル磁気抵抗素子は、ハードディスクの読み取りヘッドや固体磁気メモリとして広く利用されてきました。今回、大阪大学産業科学研究所の千葉大地教授と関谷毅教授は、東京大学大学院工学系研究科博士課程3年(兼大阪大学産業科学研究所特別研究学生)の太田進也氏、村田製作所の安藤陽氏ら...
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2019
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ゲルマニウム電子デバイス構造中での室温スピン伝導を実証
大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、高性能なスピントロニクス材料(ホイスラー合金)とゲルマニウムへの原子層不純物ドーピング技術を併用した独自のスピン注入・検出技術により、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』を用いた...
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2017
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次世代半導体ゲルマニウム中のスピン伝導現象を解明
大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』と、高性能なスピントロニクス材料を高品質に接合した微小スピン素子を用いて、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象の詳細を明らかにし...
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2017
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スピン流を用いた近藤効果の直接検出・制御に成功
大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授、東京工業大学科学技術創成研究院の谷山智康准教授らの研究グループは、高性能なスピントロニクス材料を用いた微小スピン素子において、希薄磁性合金(近藤合金)における近藤効果をスピン流の伝導を介して世界で初めて検出することに成功しました。これまで、希薄磁性合金における近藤効果は、電流...
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2016