Filter the results Item type Select All/None ResOUMailForm Image ResOUFeatureFolder Link Language Root Folder ResOUResearch Folder ResOUFeature ResOUStory Language Independent Folder ResOUResearchFolder ResOUStoryFolder ResOUPage New items since Yesterday Last week Last month Ever Search results 5 items matching your search terms. Sort by relevance date (newest first) alphabetically 次世代半導体ゲルマニウム中のスピン伝導現象を解明 大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』と、高性能なスピントロニクス材料を高品質に接合した微小スピン素子を用いて、ゲルマニウム中のスピン流伝導におけるスピン散乱現象の詳細を明らかにし... Located in 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2017 ゲルマニウム電子デバイス構造中での室温スピン伝導を実証 大阪大学大学院基礎工学研究科の浜屋宏平教授と東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授の共同研究グループは、高性能なスピントロニクス材料(ホイスラー合金)とゲルマニウムへの原子層不純物ドーピング技術を併用した独自のスピン注入・検出技術により、次世代の半導体チャネル材料として応用が期待されている『ゲルマニウム:Ge』を用いた... Located in 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2017 室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測！ 大阪大学大学院基礎工学研究科の大木健司さん（博士後期課程）、上田信之介さん（博士前期課程）、浜屋宏平教授、同大学先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 宇佐見喬政講師、熊本大学半導体・デジタル研究教育機構の山本圭介教授、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授らの共同研究グループは、半導体pn接合を有するデバイス構造にお... Located in 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025 世界初!歪みを加えて半導体デバイス中の電子スピン寿命の延長を実現 大阪大学大学院基礎工学研究科の山田道洋特任助教(常勤)、浜屋宏平教授と、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授ら共同研究グループは、次世代の高速半導体チャネル材料として知られるシリコン-ゲルマニウム(SiGe)結晶に歪みが印加されたスピントロニクスデバイス構造を作製することで、SiGe伝導チャネルの電子構造を人為的に変... Located in 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2020 消費電力 1/10、性能指標 100 倍！世界最高性能の 半導体スピン伝導素子を実証 Located in 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2020
