世界最高感度のフィルム型ひずみゲージの実用化へ

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe8058aa0b0 oid 0x30f7ad in <Connection at 7fe84e58b970>>

2022-02-16

engineering

{'items': [{'key': 'dgq27', 'term': '磁気トンネル接合', 'description': {'blocks': [{'key': '9rjqe', 'text': '２層の磁性ナノ薄膜で非常に薄い絶縁体の薄膜をサンドイッチした構造を持つ代表的なスピントロニクスデバイスで、超微小な磁界を検出するセンサや、ハードディスクの読み取りヘッド、固体磁気メモリの記録素子として用いられています。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '8trcq', 'term': 'ゲージ率', 'description': {'blocks': [{'key': '1ugir', 'text': 'ひずみ検出感度の指標を表す数値のことです。例えば、世の中で広く用いられている金属箔フィルム型ひずみゲージでは、フィルムが０．１％伸びたときに、電気抵抗が０．２％程度変化するので、ゲージ率は０．２/０．１＝２となります。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '6s3nq', 'term': '金属箔ひずみゲージ', 'description': {'blocks': [{'key': 'ds1u5', 'text': '非磁性の金属箔を用いたひずみゲージのことです。フィルム上に形成された金属箔を引っ張ると、金属の断面積が変化するため、電気抵抗が変化します。これを利用してひずみをセンシングするひずみゲージのことを、一般に金属箔ひずみゲージと言います。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'f75tu', 'term': 'Society 5.0', 'description': {'blocks': [{'key': '7rfut', 'text': 'サイバー空間（仮想空間）とフィジカル空間（現実空間）を高度に融合させたシステムにより、経済発展と社会的課題の解決を両立する、人間中心の社会（Society）。狩猟社会（Society 1.0）、農耕社会（Society 2.0）、工業社会（Society 3.0）、情報社会（Society 4.0）に続く、新たな社会を指すもので、第５期科学技術基本計画において我が国が目指すべき未来社会の姿として初めて提唱されました。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '1q5sp', 'term': 'トンネル電流', 'description': {'blocks': [{'key': '4mhid', 'text': '磁気トンネル接合の場合、２層の磁性ナノ薄膜の間に挟まれている絶縁体は数ナノメートルという薄さです。この場合、上下２層の磁性ナノ薄膜に電圧を加えると、量子力学的効果によって、電子が薄い絶縁体をトンネルします。このときトンネルした電子によって担われる電流をトンネル電流と言います。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '7dmc5', 'term': '交換バイアス', 'description': {'blocks': [{'key': 'fkb2c', 'text': '全体として磁化を持たない反強磁性体と呼ばれる物質のナノ薄膜と、磁石の性質を示す磁性ナノ薄膜とを積層すると、磁性ナノ薄膜の磁化の方向を一方向へ固定することができます。今回発表した論文では、２層の磁性ナノ薄膜のうち、１層の磁化を常に一方向へ固定することで、もう片方の磁性ナノ薄膜の磁化の角度だけがひずみで変化し、電気抵抗が大きく変化することを示しました。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['isir']

['千葉大地']

長年スピントロニクスに携わってきましたが、その方向性はずっと磁気記録の高度化でした。私はその殻を破りたく、フィジカル空間の力学情報を高解像に取得する、柔らかいスピントロニクスを開拓したいと思っています。今回の成果は、その最初のキラーデバイスの動作実証という位置づけと言うことができ、実用化に向けた第一歩を踏み出すものだと考えています。

千葉大地

教授

産業科学研究所

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/9e65159ad1a4c722.html?k=%E5%8D%83%E8%91%89%E5%A4%A7%E5%9C%B0