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テラヘルツ波を用いた半導体の新評価手法を開発
大阪大学レーザーエネルギー学研究センターの川山巌准教授らのグループは、株式会社SCREENホールディングスと共同で、レーザー照射によって発生するテラヘルツ波を計測し可視化するレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)により、窒化ガリウム(以下GaN)の表面に存在する欠陥濃度の変化を可視化することに成功しました。G...
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2015
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次世代半導体のための新たな価電子制御法のデザイン
大阪大学大学院基礎工学研究科・スピントロニクス学術連携研究教育センターの真砂啓・特任准教授(常勤)の参加する大阪大学、東北大学、東京大学を拠点としたネットワーク型ラボ研究グループでは、第一原理計算手法を用い、単極性のため低抵抗p型化が難しかったワイドバンドギャップ半導体を低抵抗p型化するための磁性元素を用いた新しい価電...
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2021
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炭化珪素(SiC)パワーデバイスの 心臓部・絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減
大阪大学大学院工学研究科の藤本博貴さん(博士後期課程)は、小林拓真助教、渡部平司教授と共同して、炭化珪素(SiC)パワーデバイスの心臓部となる絶縁膜界面の欠陥を大幅に低減する事に成功しました。 ...
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2023
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配線接合部のクラック発生"音”を捉える!故障の予測診断法を開発
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2020