次世代の省エネルギーデバイス開発へのブレークスルーをもたらす発見

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2015-09-09

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'bjn8f', 'text': '大阪大学レーザーエネルギー学研究センター・斗内研究室にて開発された、テラヘルツ波応用解析装置。約100フェムト秒という極めて短い時間のレーザーパルスを半導体、超伝導体、強誘電体などの材料やデバイスに照射することにより、発生するテラヘルツ波を検出し、その分布を可視化できる顕微鏡。（1フェムトは1,000兆分の1秒）', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM) '}, {'description': {'blocks': [{'key': '8bh2o', 'text': '大日本スクリーン製造の半導体製造装置、印刷・プリント基板関連装置、FPDなどのファインテック装置事業の分社化を機に2014年に現在の商号に変更。半導体洗浄装置やCTP装置、液晶パネル製造装置など、多くの世界トップシェア製品を持つ事業会社をはじめ、国内外に展開する46社のグループ会社を統括する。表面処理技術、直接描画技術、画像処理技術といったコア技術をベースに、4つの新規領域（エネルギー、検査・計測、ライフサイエンス、プリンテッドエレクトロニクス）の事業化を積極的に展開している。1943年設立。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': '株式会社SCREENホールディングス'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'ctro6', 'text': '相対的に大きなバンドギャップエネルギーを持つ半導体を指す。従来の半導体であるシリコン(1.12 eV)や砒化ガリウム(1.42 eV)に比べてGaNは約3.4 eVと倍以上大きい。他に炭化ケイ素(SiC)、窒化アルミニウム(AlN)やダイヤモンドなども代表的なワイドギャップ半導体である。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': 'ワイドギャップ半導体'}, {'description': {'blocks': [{'key': '51v7m', 'text': '半導体表面における電位を指すが、表面特有のダングリングボンドや波動関数のしみ出しのため、バルク(半導体内部)でのポテンシャルと一般的に異なっている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term4', 'term': '表面ポテンシャル'}, {'description': {'blocks': [{'key': '29r0q', 'text': 'ワイドギャップ半導体は、通常その大きな表面ポテンシャルのため、ゲート電圧オフの状態でもデバイスに電流が流れる、いわゆるノーマリーオン動作し、パワーデバイスにおいては安全上の問題となっている。そのため、電圧を印可した時のみデバイス動作をするノーマリーオフ動作を目指した開発が進められている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term5', 'term': 'ノーマリーオフ'}]}

['ile']

['川山巌']