<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7f1827f843c0 oid 0x4666cd in <Connection at 7f1852db5940>>

2023-07-28

engineering

{'items': [{'key': 'fo04r', 'term': '炭化珪素（SiC） ', 'description': {'blocks': [{'key': '9ukss', 'text': '珪素（Si）：炭素（C）＝1:1で構成される共有結合性の化合物。従来パワーデバイスにはシリコンが用いられてきたが、材料物性で決まる性能限界に直面している。SiCはシリコンの約3倍のバンドギャップや約10倍の絶縁破壊電界等の優れた物性を有し、パワーデバイスのエネルギー損失削減や耐圧の大幅な向上が期待できる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'bm8ie', 'term': 'パワーデバイス', 'description': {'blocks': [{'key': '9r77c', 'text': '電力の直流⇔交流変換や周波数変換を担う半導体素子。電力の制御・変換の過程でのエネルギーロスの最小化を目指すパワーエレクトロニクスにおいて中心的な役割を担う。本研究では、パワーデバイスの中でも、スイッチング素子であるMOS型電界効果トランジスタの特性改善技術を報告している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '38v1o', 'term': 'MOS型電界効果トランジスタ', 'description': {'blocks': [{'key': '7v9pp', 'text': 'ゲート電圧の印加によりソース・ドレイン間の電流のON/OFFを制御する半導体スイッチング素子。大規模集積回路（LSI）技術の中核を担う素子であり、パワーデバイスのスイッチング素子としても重要である。SiC MOS型トランジスタの研究開発が国内外の研究機関で盛んに進められてきたが、SiC絶縁膜界面の欠陥が課題となり、SiC本来の性能を発揮したトランジスタは実現していない。本研究では、トランジスタの性能・信頼性の両面を改善する基盤技術を報告している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['eng']

['藤本博貴', '小林拓真', '渡部平司']

当研究室では、表面界面科学を基軸とした「ものづくり技術」の創出に取り組んでいます。今回の研究成果は、高度な材料分析や新プロセスの探索を通じて達成されたものであり、大学発の独創的なものづくり技術として社会に貢献出来ればと思っています。また、日本の半導体産業復興を支える若手人材育成の場として、大学の役割は大きく、継続的な機能強化が必要だと感じています。（渡部平司　教授）

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渡部平司

教授

工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/5eaba14b0f47fb11.html?k=%E6%B8%A1%E9%83%A8%E5%B9%B3%E5%8F%B8