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  1. \SiCパワーデバイスの利便性アップ!/ SiC MOSデバイスの性能・信頼性を向上する新手法

    大阪大学大学院工学研究科の小林拓真准教授、藤本博貴さん(博士後期課程)、神畠真治さん(当時 博士前期課程)、八軒慶慈さん(博士前期課程)、原征大助教、渡部平司教授の研究グループは、希釈水素熱処理(図1)によるSiC MOSデバイスの性能及び信頼性向上を達成しました。 ...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
  2. 絶縁膜と炭化ケイ素(SiC)の界面に局在する 発光中心のエネルギー準位を解明 存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2025
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