半導体スピンデバイスのキーテクノロジーを実証

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2020-05-18 00:00:00

natural_sciences

{'items': [{'key': 'term1', 'term': 'シリコン-ゲルマニウム(SiGe)', 'description': {'blocks': [{'key': '9edv8', 'text': '現在広く用いられている電子材料のシリコン(Si)と同じ結晶構造(ダイヤモンド構造)をもつゲルマニウム(Ge)との混晶。SiとGeの組成比を制御することで、結晶格子定数やエネルギーバンド構造を制御することができる。格子定数の異なるGeとSiGeを連続的に積層することで、歪みを互いの層に印加することができる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term2', 'term': 'スピン寿命', 'description': {'blocks': [{'key': '4iegp', 'text': '電子スピン(磁石の性質)が情報を保持する時間のこと。固体中では、母体材料、外部温度、不純物量などにより変化する時間であり、スピントロニクスデバイスへの応用を考慮すると長い方が良い。半導体スピントロニクスデバイスを設計する上で重要な物性値である。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term3', 'term': 'スピントロニクス', 'description': {'blocks': [{'key': '9n6k9', 'text': '電子の電荷とスピン(角運動量)の両方の自由度を積極的に利用することにより、新機能デバイスの開発を目指している研究分野のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term4', 'term': '純スピン流', 'description': {'blocks': [{'key': '6kosr', 'text': '電流はアップスピン電子とダウンスピン電子の2種類の電子の流れに分けることができる。一般的に、電流とはこれら2つの和であるのに対し、スピン流は2つの差に相当する。今回の実験では、正味の電流がゼロで、スピン角運動量のみが流れている純スピン流と呼ばれるスピン流を伝導させている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term5', 'term': '伝導帯谷(バレー)構造', 'description': {'blocks': [{'key': '3grul', 'text': '半導体中の電子が占めるエネルギー帯(バンド)の形が谷(バレー)状になっている構造のこと。特に電子材料として広く用いられるSi、Ge、そしてSiGeでは、伝導帯中に複数のバレー構造を有している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term6', 'term': 'スピン散乱', 'description': {'blocks': [{'key': 'dbudr', 'text': '例えば、アップスピンに偏って生成されている状態(スピン偏極状態)が、何らかの相互作用によってダウンスピン状態に変化した結果、スピン非偏極状態になってしまうこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term7', 'term': 'Si-CMOS', 'description': {'blocks': [{'key': 'btavh', 'text': '極性の異なる電界効果トランジスタ(p-MOSFETとn-MOSFET)を組み合わせた構造を有しており、スマートフォンやネットワークサーバーなど身の回りの電子機器に搭載されている最も重要な半導体デバイスのこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term8', 'term': '強磁性ホイスラー合金', 'description': {'blocks': [{'key': 'dc514', 'text': 'ホイスラー合金は構成原子が規則正しく配列した規則合金のことであり、その構成元素や規則性に依存して様々な特性を示す。特に、強磁性ホイスラー合金では完全にスピン偏極した状態の材料が理論的に予想されており、高性能なスピントロニクス材料として注目を集めている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term9', 'term': '不純物ドーピング', 'description': {'blocks': [{'key': '56hhk', 'text': '半導体中にキャリア(電子または正孔)を生成し、電気伝導特性を発現するための異種元素添加のこと。価数4のSiやGeに電子を生成する場合、価数5のP(リン)やAs(ヒ素)を添加することが多い。今回の実験では、不純物は全てPである。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['es']

['山田道洋', '浜屋宏平']