身の周りの温度差から発電する材料の実現へ

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7f17d346b510 oid 0x4b6926 in <Connection at 7f1869fa4bb0>>

2024-01-16

engineering

{'items': [{'key': 'd3dbt', 'term': '熱電変換出力因子', 'description': {'blocks': [{'key': '8t0gh', 'text': '熱電材料の出力電力の大きさを表す指標。ゼーベック係数の2乗と電気伝導率の積によって求められる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '1aop2', 'term': 'AlGaAs/GaAs', 'description': {'blocks': [{'key': '28u1l', 'text': '砒化アルミニウムガリウムと砒化ガリウムの積層構造。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'co0ed', 'term': '二次元電子ガス（2DEG）', 'description': {'blocks': [{'key': '4d0l8', 'text': '異種半導体の接合等によって形成される、二次元状に電子が分布した状態。ここではAlGaAs/GaAs界面のGaAs側に形成される。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'abm4q', 'term': 'サブバンド', 'description': {'blocks': [{'key': 'cta87', 'text': '量子井戸等のナノ構造にて形成される離散的なエネルギー準位を有する電子バンド。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '3ng35', 'term': 'ゼーベック係数', 'description': {'blocks': [{'key': 'cibch', 'text': '材料に温度差を与えたときに起電力が生じる現象（ゼーベック効果）における、単位温度差あたりに生じる起電力。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '7frkt', 'term': '変調ドーピング', 'description': {'blocks': [{'key': 'bhn77', 'text': '異種半導体の接合等によって、キャリアをドーピングした材料から不純物のない材料にキャリアを供給する手法。ここではドーピングされたAlGaAsから不純物のないGaAsにキャリアを供給して、不純物散乱を抑制した高キャリア移動度を有する2DEGが形成される。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '2baad', 'term': 'キャリア移動度', 'description': {'blocks': [{'key': '1vdsu', 'text': '材料中でのキャリアの移動のしやすさ。電気伝導率はキャリア移動度に比例する。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '5u241', 'term': '三角井戸2DEG', 'description': {'blocks': [{'key': '8taq8', 'text': '異種半導体のヘテロ接合等によって生じる三角井戸型ポテンシャルに電子が閉じ込められて形成される2DEG。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['es']

['中村芳明']

本研究成果の複数サブバンド効果を用いた熱電変換出力因子の向上は、従来理論と全く異なる革新的手法です。我々は、複数サブバンド2DEGが従来2DEGよりも高い熱電変換出力因子を示すことを世界で初めて発見し、複数サブバンド効果による従来理論を凌駕する増大率を達成しました。高いエネルギー位置にバンドがあることで、性能を向上するという点では、様々な材料に適用できる普遍的概念です。これは熱電材料開発の指針となる、応用に直結する新物理であり、社会的にも学術的にも非常に価値のある成果だと考えております。

https://d25u50kd23hjv8.cloudfront.net/aa5ebaab3cfa82ecab97cef41a035dd3.jpg

中村芳明

教授

基礎工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/d005d615e4f0dfd1.html?k=%E4%B8%AD%E6%9D%91%E8%8A%B3%E6%98%8E