極限環境下での利用に期待

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7f17be7d5120 oid 0x40ca8e in <Connection at 7f18b36333d0>>

2023-01-30

engineering

{'items': [{'key': '1tl2v', 'term': 'メモリスタ', 'description': {'blocks': [{'key': '63o0q', 'text': 'レジスタ、インダクタ、キャパシタにつぐ、第四の受動素子。素子が可変な抵抗（レジスタ）値を不揮発に記憶（メモリ）していることからこのように呼ばれる。素子に電圧を印加することによって、その抵抗値が可逆的に変化するので、その機能から抵抗変化型メモリ素子とも解釈できる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '4sf6g', 'term': '不揮発メモリ', 'description': {'blocks': [{'key': 'fi68l', 'text': 'データを記憶させるメモリ素子のうち、外部給電がなくても記憶内容を保持することができるタイプのもの。抵抗変化型メモリは不揮発メモリの一つで、セル面積が小さく高密度化に適している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '3752i', 'term': '脳型コンピュータ素子', 'description': {'blocks': [{'key': 'c0mlf', 'text': '脳の神経網構造を模した人工ニューラルネットワークのハードウェアを形作るうえで基幹となる素子。主に神経細胞で生ずる活動電位の発振を司るニューロン素子と神経細胞間の信号伝達を司るシナプス素子に大別される。特にシナプス素子にはメモリ機能が必要とされる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'f4n6h', 'term': '還元性アモルファス酸化ガリウム薄膜', 'description': {'blocks': [{'key': '36b44', 'text': '膜中の酸素が不足した状態で非晶質な（アモルファス）構造を有する酸化ガリウム薄膜。単結晶β酸化ガリウムは4.5～4.9 eVのバンドギャップをもつことからワイドギャップ半導体と呼ばれており、アモルファスで成膜した場合でも最大で4.1 eVのバンドギャップを有することが報告されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['es']

['佐藤健人', '林 侑介', '正岡直樹', '藤平哲也', '酒井 朗']

酒井 朗

教授

基礎工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/27b8aa0dbc32b401.html?k=%E9%85%92%E4%BA%95%20%E6%9C%97