4端子メモリスタ素子が高度な脳・神経機能を実現
Title Image SP:
<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fedfd707d60 oid 0x365b4e in <Connection at 7fee3060b640>>
Announcement Date
2022-04-28
Research Highlight
engineering
Term Index
{'items': [{'key': '4jnrn', 'term': 'メモリスタ', 'description': {'blocks': [{'key': '9q012', 'text': 'レジスタ、インダクタ、キャパシタにつぐ、第四の受動素子。素子が可変な抵抗(レジスタ)値を不揮発に記憶(メモリ)していることからこのように呼ばれる。素子に電圧を印加することによって、その抵抗値が可逆的に変化するので、その機能から抵抗変化型メモリ素子とも解釈できる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '3rlqu', 'term': '人工シナプス素子 ', 'description': {'blocks': [{'key': 'em5q7', 'text': 'メモリスタなどを用いて生体のシナプス機能を模倣した素子。シナプスとは神経細胞(ニューロン)同士をつなぐ間隙部位であり、シナプス重みが神経細胞間のつながりやすさを決めている。人工シナプス素子では、一般に素子の抵抗値が低いと、シナプス重みは大きくなり、神経細胞間で情報が伝わり易くなる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '75alj', 'term': 'ドーパント不純物 ', 'description': {'blocks': [{'key': '34obc', 'text': '半導体や金属酸化物のようなバンド絶縁体材料において、材料の抵抗率(導電率)を決める際に追加する不純物。今回のメモリスタは遷移金属酸化物TiO2の結晶内に酸素原子が抜けた孔(酸素空孔)を形成することで伝導性の電子を発生させ、メモリスタ内で酸素空孔の分布を変化させることで素子抵抗を制御している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}
Departments
['es']
Related Teachers
['酒井朗']
Teacher Comment
深層学習のようなニューラルネットワークによって支えられている人工知能の発展には、情報科学に基づくアルゴリズムの開発だけでなく、それをハードウェアから支えるエレクトロニクスが不可欠です。また、生体の神経細胞やシナプスの機能を解き明かしていく神経科学との融合をもって、初めて脳型コンピューティングへの道が開けます。今回開発した4端子メモリスタ人工シナプス素子は、生体の脳・神経系に備わる連合・変調・相関という高度な機能を忠実に模倣することができます。素子の動作原理や構造が比較的単純であることから、幅広く応用が広がることを望んでいます。
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Teacher Name
酒井朗
Teacher Position
教授
Teacher Division1
基礎工学研究科
Teacher Division2
Teacher URL
https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/27b8aa0dbc32b401.html
