GaN半導体の結晶欠陥を非破壊で識別する技術

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe7ca32e580 oid 0x25b8db in <Connection at 7fe84e58b970>>

2021-04-28

engineering

{'items': [{'key': 'e938b', 'term': '貫通転位', 'description': {'blocks': [{'key': 'anag7', 'text': ' 結晶中を貫通する線状の欠陥である。結晶のずれ方により分類され、結晶a軸にずれるものを貫通刃状転位、結晶c軸にずれるものを貫通螺旋転位、どちらにもずれるものを貫通混合転位という。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 34, 'length': 1, 'style': 'BOLD'}, {'offset': 52, 'length': 1, 'style': 'BOLD'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '4otaj', 'term': '多光子励起フォトルミネッセンス法', 'description': {'blocks': [{'key': '3at0s', 'text': ' 超短パルスレーザを物質に照射すると、複数の光子が関与して物質中の電子を励起状態に遷移させることができる。励起された電子が再結合する際に物質から放出される光（PL光）を検出する手法を多光子励起フォトルミネッセンス法と呼ぶ。物質中の欠陥により放出される光の波長や強度が変化すれば、それらを非破壊で検出することができる。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'eqgl6', 'term': '窒化ガリウム（GaN）', 'description': {'blocks': [{'key': 'f28t5', 'text': ' 窒素とガリウムからなる化合物半導体で、青色の発光ダイオードや半導体レーザなどの光デバイス応用だけでなく、高電子移動度トランジスタなど電子デバイス応用にも用いられる半導体材料である。電圧による破壊に強いという特徴がある。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'e6lkv', 'term': 'エッチピット法', 'description': {'blocks': [{'key': '2nnhe', 'text': ' 結晶表面をアルカリなどの化学薬品で処理して表面にエッチピットと呼ばれる孔を形成する手法。適切な条件で処理を行うことで、貫通転位の位置にのみエッチピットが形成される。このサイズは貫通転位の性質により異なることを利用すると、広い範囲で貫通転位の密度計数や種類を特定することができる。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '4jjn1', 'term': 'バーガースベクトル', 'description': {'blocks': [{'key': 'd813a', 'text': ' 転位に起因した結晶のずれの方向や大きさを表すベクトルで、bと書かれる。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 29, 'length': 1, 'style': 'BOLD'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['eng']

['塚越真悠子', '谷川智之']

多光子励起フォトルミネッセンス法は、次世代半導体の非破壊評価技術として近年注目を集めております。次世代半導体の優れたポテンシャルを十分に発揮したデバイスを実現するためには、結晶欠陥について十分に理解することが求められています。今回報告した技術が、GaN半導体をはじめ様々な次世代半導体を用いたデバイス開発の一助になることを期待しています。

谷川智之

准教授

工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/6084d938990e16ca.html