テラヘルツ分光法による酸化ガリウムの超高周波特性の計測

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2021-01-26

engineering

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'egt7s', 'text': ' Ga2O3は、超ワイドギャップ半導体として知られています。それには様々な結晶構造がありますが、最も安定しているものが β-Ga2O3 です。β-Ga2O3 半導体は高出力・高電圧機器用途で大いなる可能性があることから、現在、β-Ga2O3 の研究は非常に活発に行われています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 3, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 5, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 64, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 66, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 75, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 77, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 117, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 119, 'length': 1, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'avr8n', 'term': '酸化ガリウム (Ga2O3)'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'at9ru', 'text': ' 半導体はしばしばその使用や応用の決め手となる重要な特性であるバンドギャップの大きさによって分類分けされます。良く使用されるシリコン（Si）半導体は1.12 eVであり、主に集積回路に使用されます。ワイドギャップ半導体は窒化ガリウム（GaN）では3.4 eV、炭化シリコン（SiC）では3.26 eVと言ったように大きなバンドギャップを持っています。広いバンドギャップの半導体はより高い電圧でより高い温度で使用する機器に使われます。超ワイドギャップ半導体はバンドギャップが4.8 eVのβ-Ga2O3 のようにGaNのバンドギャップよりも大きいバンドギャップを持つものを言います。そのような半導体は高出力で高電力の分野への応用が期待されています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 247, 'length': 1, 'style': 'SUBSCRIPT'}, {'offset': 249, 'length': 2, 'style': 'SUBSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '8kp50', 'term': '超ワイドギャップ (ultra-wide bandgap (UWBG))半導体'}, {'description': {'blocks': [{'key': '8n6t9', 'text': ' THz-TDSはTHz波を用いて物性を調べる技術です。紫外線やX線と違い、THz光はエネルギーが低いため観測対象を壊しません。THz-TDSは半導体やその他の物質の遠赤外領域における誘電率や電気特性を測定するのに幅広く使われます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'afju7', 'term': 'テラヘルツ時間領域分光 (THz-TDS)'}, {'description': {'blocks': [{'key': '4qknp', 'text': ' 静的誘電率は周波数が0 Hzにおける誘電率です。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'emgv8', 'term': '静的誘電率'}, {'description': {'blocks': [{'key': '4b34l', 'text': ' THz波は周波数が1012 Hz付近、特に波長が3 mmから30 μm（0.1～10 THz）の領域の電磁波です。THz波は材料解析のような科学的な応用の他に医療分野における画像化やセキュリティ分野における検査や遠距離通信技術などの技術にも使われます。電波よりも高い周波数のTHz波は高周波数動作機器や高速、超高帯域通信を可能にします。このようにTHzはbeyond 5G/6Gの通信技術の鍵になると考えられています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 12, 'length': 2, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '7s3ct', 'term': 'テラヘルツ波（THz波）'}, {'description': {'blocks': [{'key': '318b8', 'text': 'TeraProspectorは日邦プレシジョン(株)にて開発された汎用のテラヘルツ時間領域分光装置です。テラヘルツ領域の複素屈折率／誘電率スペクトルを精度良く測定可能です。Ga2O3の他、Siをはじめ、SiCやGaN等の半導体に利用可能。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}, {'key': '3j5ju', 'text': 'https://terahertzwave.com/', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [{'offset': 0, 'length': 26, 'key': 0}], 'data': {}}], 'entityMap': {'0': {'type': 'LINK', 'mutability': 'MUTABLE', 'data': {'url': 'https://terahertzwave.com/'}}}}, 'key': '55a8g', 'term': 'TeraProspector'}, {'description': {'blocks': [{'key': '9qur3', 'text': ' 複素屈折率は物質の光の伝搬を記述する物性量です。実部は伝搬の速さを表す屈折率で、虚部は物質内を伝搬する光の減衰の強さを表す消光係数です。光はエネルギーの一部が結晶の原子によって吸収される（フォノン吸収）時や物質内の自由電子による吸収によって減衰します。複素屈折率は複素誘電率によって表すこともできます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '41use', 'term': '複素屈折率'}, {'description': {'blocks': [{'key': '32m2l', 'text': ' ホール測定は従来の半導体の電気特性を測定するための評価技術です。Van der Pauw法を用いるホール測定では、電極を用いて、電流を流した時の電圧を測定します。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'bf48k', 'term': 'ホール測定'}, {'description': {'blocks': [{'key': '2v8ji', 'text': ' CV測定は半導体やデバイスの電気特性を評価するために使われる他の従来技術です。この測定では、電極を使って電圧を掛け、その電圧を変えながら電気容量を測定します。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '4pitg', 'term': 'CV（容量-電圧）測定'}, {'description': {'blocks': [{'key': '4m859', 'text': ' ドルーデ・ローレンツモデルはフォノンや自由電子の影響を考慮して、複素屈折率や誘電率の光の周波数依存性を定量化したものです。このモデルは一般的に半導体材料の評価に使われます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'ap47j', 'term': 'ドルーデ・ローレンツモデル'}]}

['ile', 'eng']

['中嶋誠', 'Agulto, Verdad C. (アグルト, ヴァーダッド C.)', 'Mag-usara, Valynn K. (マグウサラ, ヴァリン K.)']

中嶋誠

准教授

レーザー科学研究所

http://www.dma.jim.osaka-u.ac.jp/view?l=ja&u=10001543&k=%E4%B8%AD%E5%B6%8B%E8%AA%A0&kc=1&sm=keyword&sl=ja&sp=1