超高速スピントロニクス応用への新機軸

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe817ddd510 oid 0x176a7 in <Connection at 7fe889338c40>>

2016-01-30

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'fhkl9', 'text': '真空中の電子の速度が光速に近づくと、相対論的量子力学により定式化されたディラック方程式に従うようになるが、物質中においても特殊な結晶構造に起因して、電子の運動方程式がディラック方程式と類似することがある。このような固体中の電子状態をディラック電子と呼び、近年、理論的・実験的に大きな注目を集めている。2005年のノーベル物理学賞の対象となったグラフェンが、有名なディラック電子系物質の例。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': 'ディラック電子'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'fsn5f', 'text': '半導体の接合界面などの二次元的な電子状態に、強磁場を加えると電子の運動が量子化されるため、ホール抵抗にプラトーと呼ばれる一定値の領域が現れ、同時に縦抵抗はゼロとなります。プラトーの値は、プランク定数hと電気素量eを用いて、h/νe 2 で表され、νが整数（1, 2, 3, ...）の場合を整数量子ホール効果と呼ぶ。ディラック電子系の場合、ディラック点の特異性により、νが半整数（0.5, 1.5, 2.5, ...）となることが知られている （図2参照） 。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 117, 'length': 6, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': '半整数量子ホール効果'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'f756k', 'text': '比較的融点の低い融剤（フラックス）に、合成したい化合物の原料を溶かしこみ、過飽和の条件で析出させて単結晶を得る方法。本研究では、EuMnBi 2 の合成に必要なビスマスを、組成比よりも過剰に加えた原料を用いる自己フラックス法を採用した（融点の低いビスマスが融剤として働く）。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 72, 'length': 6, 'style': 'SUBSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': 'フラックス合成法'}]}

['sci']

['酒井英明']