ナノデバイス回路の性能向上へ道

<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7f18642e70b0 oid 0x16822 in <Connection at 7f189fb235b0>>

2015-07-24

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': '24e3n', 'text': 'グラフェンの電気伝導はゼロギャップ半導体という特殊な半導体（半金属とよばれる）で、室温では金属性伝導を示す。GNRの場合、幅10nmまで半金属性を保ち、それより細くなると徐々にバンドギャップが大きくなる。今回の研究では配線は金属、デバイスは半導体という構造を目指すため、DWNTから作製した幅15nm-50nmのGNRを用いた。SWNTから作製したGNRは幅が10nm以下になり、半導体性が現れるため今回は用いなかった。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': '半金属性'}, {'description': {'blocks': [{'key': '6qe7a', 'text': 'カーボンナノチューブ（CNT）をあたかもファスナーを開くように長軸に平行に開きグラフェンナノリボン（GNR）を得る方法。GNRの幅は元のCNTの約3倍。 参考文献：Liying Jiao, Xinran Wang, Georgi Diankov, Hailiang Wang and Hongjie Dai, Nat. Nanotechnol. 5, 321 (2010).', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'アンジップ法'}, {'description': {'blocks': [{'key': '5j7pq', 'text': '溶液を一滴から数滴基板に滴らすこと。溶媒が揮発すると溶質（今回の場合NDI分子）が基板上に残存する。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': 'キャスト法'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'b3ngl', 'text': 'グラフェンに等間隔に穴をあけると電流の通り道（電流パス）は細くなり（=ネック）、グラフェンの端部からの電気的な影響を受ける（=ネック効果）。グラフェンは一般に幅10nmを切ると半導体的振る舞いが優勢になる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term5', 'term': 'グラフェンナノメッシュ'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'l4b2', 'text': '表面を鋭い針でなぞることでナノサイズを観察できる顕微鏡。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term4', 'term': '原子間力顕微鏡（AFM）'}]}

['sci', 'eng']

['小川琢治', '小林慶裕']