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使える次世代半導体の実現
大阪大学大学院工学研究科の大学院生の塚越真悠子(つかこし まゆこ)さん(博士前期課程)、谷川智之(たにかわ ともゆき)准教授らの研究グループは、多光子励起フォトルミネッセンス法を用いて窒化ガリウム(GaN)※3半導体の貫通転位を非破壊で観察し識別する技術を開発しました。 ...
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大阪大学発 自慢の研究をあなたに
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2021
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【特選!!2024年6月・7月の8選】最先端の研究を見逃したくない、あなたに。
【2024/8/16UP!!】最先端の研究を見逃したくない、あなたのために。2024年6月・7月に大阪大学から発表したResOU掲載の研究成果で、注目を集めた8つの記事をまとめました。 一度ご覧になった方も、初めてご覧になる方も、あらためてご堪能ください。
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より濃厚に研究を味わいたい方へ
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【特選!!2024年5月・6月の8選】最先端の研究を見逃したくない、あなたに。
【2024/7/4UP!!】最先端の研究を見逃したくない、あなたのために。2024年5月・6月に大阪大学から発表したResOU掲載の研究成果で、注目を集めた8つの記事をまとめました。 一度ご覧になった方も、初めてご覧になる方も、あらためてご堪能ください。
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より濃厚に研究を味わいたい方へ
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新発見!次世代半導体GaNは高純度で光りにくさの理由が変わる
大阪大学大学院工学研究科の大学院生 佐野 昂志さん(博士前期課程)、市川 修平准教授、小島 一信教授は、住友化学株式会社 藤倉 序章氏、今野 泰一郎氏、金木 奨太氏と協力し、全方位フォトルミネッセンス(ODPL)法を用いて、高純度な窒化ガリウム(GaN)結晶における“光りにくさ”の主要因が、従来のGaN結晶とは異なるこ...
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2024