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窒化ガリウム(GaN)への 世界最高効率・低消費電力スピン注入を室温で実証
大阪大学大学院基礎工学研究科の山田晋也准教授(当時 助教)、加藤昌稔氏(当時 大学院基礎工学研究科博士前期課程)、浜屋宏平教授、同大学大学院工学研究科の市川修平助教、藤原康文教授らの共同研究グループは、日本発の高性能半導体材料として注目されている窒化ガリウム(GaN)上に高性能スピントロニクス材料(ホイスラー合金磁石)...
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2023
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\量子コンピュータ素子等への展開も期待できる新材料の発見/ 強誘電的構造相転移と奇妙な超伝導転移を有する トポロジカル半金属
大阪大学大学院基礎工学研究科の高橋英史講師、大学院生の佐々木友博さん(博士前期課程)、石渡晋太郎教授らの研究グループは、名古屋大学大学院理学研究科の中埜彰俊助教、岡山大学学術研究院環境生命自然科学学域の秋葉和人助教、小林達生教授らと共同でストロンチウムと金とビスマスからなるトポロジカル半金属において、強誘電相転移に似た...
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2024
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ハーフメタル材料の磁化歳差運動を電界で変調
大阪大学大学院基礎工学研究科の山田晋也准教授、宇佐見喬政助教(研究当時)(現:先導的学際研究機構講師)、浜屋宏平教授、京都工芸繊維大学電気電子工学系の三浦良雄教授、慶應義塾大学理工学部の能崎幸雄教授、名古屋大学大学院理学研究科の谷山智康教授らの共同研究グループは、高性能スピントロニクス磁石材料(ハーフメタル材料)である...
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2025
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室温で半導体pn接合を介したスピン伝導を初観測!
大阪大学大学院基礎工学研究科の大木健司さん(博士後期課程)、上田信之介さん(博士前期課程)、浜屋宏平教授、同大学先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 宇佐見喬政講師、熊本大学半導体・デジタル研究教育機構の山本圭介教授、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授らの共同研究グループは、半導体pn接合を有するデバイス構造にお...
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2025
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高性能スピントロニクス界面マルチフェロイク構造の 信頼性を飛躍的に向上
大阪大学大学院基礎工学研究科の宇佐見喬政助教(研究当時・現:先導的学際研究機構 スピン学際研究部門 講師)、真田祐彌さん (同研究科修了生・研究当時:大学院博士前期課程)、浜屋宏平教授、大学院工学研究科の白土優准教授らの共同研究グループは、次世代のスピントロニクスデバイスにおける電圧情報書き込み技術として応用が期待され...
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2024
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熱による高速・高効率な磁極制御
国立大学法人大阪大学大学院基礎工学研究科(附属スピントロニクス学術連携研究教育センター)の後藤穣助教、若竹陽介(当時博士前期課程二年)、Ugwumsinachi Kalu ...
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2018
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基板を曲げたり引っ張ったりするだけで素子内の熱流方向を変えることに成功
大阪大学産業科学研究所の千葉大地教授(研究開始当時:東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻・准教授)は、東京大学大学院工学系研究科博士課程3年(兼 大阪大学産業科学研究所特別研究学生)の太田進也氏、国立研究開発法人物質・材料研究機構(NIMS)の内田健一グループリーダー、豊田工業大学の粟野博之教授らのグループと共同で、...
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2019
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世界初!歪みを加えて半導体デバイス中の電子スピン寿命の延長を実現
大阪大学大学院基礎工学研究科の山田道洋特任助教(常勤)、浜屋宏平教授と、東京都市大学総合研究所の澤野憲太郎教授ら共同研究グループは、次世代の高速半導体チャネル材料として知られるシリコン-ゲルマニウム(SiGe)結晶に歪みが印加されたスピントロニクスデバイス構造を作製することで、SiGe伝導チャネルの電子構造を人為的に変...
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2020
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消費電力 1/10、性能指標 100 倍!世界最高性能の 半導体スピン伝導素子を実証
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2020
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ゼロエネルギーで運動する磁極粒子の回路
大阪大学大学院基礎工学研究科の大学院生地引勇磨さん(当時博士前期課程)、後藤穣助教、田村英一特任教授(現京都大学)、Jaehun Cho特任研究員(現 Daegu Gyeongbuk Institute of Science and Technology ...
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2020