GaNデバイスの高性能化につながる、高純度GaNの新たな光学特性の発見

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2024-06-07

natural_sciences

{'items': [{'key': '12rqe', 'term': '全方位フォトルミネッセンス(ODPL)法', 'description': {'blocks': [{'key': '1625g', 'text': '積分球を用いた分光法の一つ。結晶からの発光を全方位に渡って検出することで、発光効率を再現性良く測定できる。本手法を用いた結晶評価装置が、浜松ホトニクス(株)から2021年 8 月より発売されている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '9h4u3', 'term': '物性値', 'description': {'blocks': [{'key': '208vk', 'text': '物質の物理的な性質を定量的に表すためのパラメーターのこと。例えば、密度、融点、誘電率など。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '6f1de', 'term': '原子空孔', 'description': {'blocks': [{'key': '5l30s', 'text': '結晶において、本来原子があるべきところに原子が存在しない状態のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'apgfo', 'term': 'バンドギャップ', 'description': {'blocks': [{'key': '6eg9k', 'text': '電子が存在することのできないエネルギー領域のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '6vhp', 'term': '発光効率', 'description': {'blocks': [{'key': 'ehd4o', 'text': '入力したエネルギーのうち、発光に利用される割合のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'f7o7q', 'term': '直接遷移型半導体', 'description': {'blocks': [{'key': 'dfcaq', 'text': '光を強く放出する半導体のこと。他には、光を放出しにくい間接遷移型半導体がある。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'elg9u', 'term': '励起', 'description': {'blocks': [{'key': '1ta0j', 'text': '対象となる材料を光エネルギーなどを用いて刺激し、活性な状態にすること。励起された直接遷移型半導体は、余分なエネルギーを光として放出し、励起される前の状態に戻ることが多い。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '11lu5', 'term': '視野角', 'description': {'blocks': [{'key': '8i8ra', 'text': 'レンズ系により正常な結像が得られる範囲のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '5ttr1', 'term': '積分球', 'description': {'blocks': [{'key': '319te', 'text': '内壁がスペクトラロンなどの拡散反射率の高い、真っ白な材料で覆われた球状の装置のこと。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': '2ppih', 'term': '絶対測定', 'description': {'blocks': [{'key': '9jaim', 'text': '標準試料との比較無しに、物理量を測定すること。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

['eng']

['佐野昂志', '市川修平', '小島一信']

GaNの持つ優れた特性を十分に引き出したデバイスの実現にむけて、GaN中の結晶欠陥を深く理解することが求められています。今回報告した成果が、高純度GaN結晶の開発を加速させることを期待しています。(佐野昂志さん（大学院生））

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小島　一信

教授

工学研究科

https://rd.iai.osaka-u.ac.jp/ja/2603765a6173fd14.html?k=%E5%B0%8F%E5%B3%B6%E3%80%80%E4%B8%80%E4%BF%A1