電流を用いない省エネのエレクトロニクス社会へ一歩

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2013-02-13

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'ep9h1', 'text': '強磁性体に強磁性共鳴等を用いて外部から力を与えることにより、強磁性体からスピンを（スピン角運動量を）外部に強制的に流し出す現象をスピンポンピングと呼びます。強磁性体に非磁性体を接合する場合、スピンポンピングにより非磁性体中に純スピン流を生成できます。強磁性体に外部から力を与える主な方法として、強磁性共鳴を用いる方法が一般的でして、例えば、電子スピン共鳴装置による高周波磁場を印加する方法や、伝送線を用いてパルス磁場を強磁性体に印加する方法があります。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '94hcq', 'term': 'スピンポンピング'}, {'description': {'blocks': [{'key': '231fq', 'text': 'p型シリコン(Si)のpとはpositiveの頭文字です。すなわち、p型Siは正孔（概念としての正電荷）を主に輸送するSiのことです。対義語はn型Si、すなわち、negativeのSiで、電子（負電荷）を主に輸送するシリコンです。p型Siは半導体材料であるSiに不純物としてホウ素などの3価元素を微量加えることによって作られます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '7dm5m', 'term': 'p型シリコン'}, {'description': {'blocks': [{'key': '80oq8', 'text': '電子の2つの自由度である電荷自由度とスピン自由度のうち、従来エレクトロニクスでは、電荷の自由度（プラスか、マイナスか）のみを制御し、産業応用してきました。一方、スピン自由度のみ（スピン角運動量のみ）を制御することができれば、実質的に電流は流れないため、例えば情報伝搬において、究極の省エネにつながります。このスピン自由度のみの流れのことを「純スピン流」と呼びます。電子の電荷とスピンの2つの自由度を制御するスピントロニクス分野において、様々な材料におけるこの純スピン流の自在な生成と制御は、分野のホットトピックです。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '6ch0', 'term': '純スピン流'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'f41n8', 'text': 'CMOS（シーモス）はComplementary Metal Oxide Semiconductorの略で、日本語では相補型金属酸化膜半導体のことです。これはMOS-FET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）を相補形に配置した情報処理構造を意味し、CMOSトランジスタとはCMOS構造を組み合わせた情報処理素子を指します。CMOSトランジスタは他のトランジスタに比べると消費電力をかなり抑えられるため、半導体素子において標準的に用いられています。一方で近年、半導体への更なる微細化の要求により、リーク電流の問題が発生し、結果的に電力消費が増えています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '506qv', 'term': 'CMOSトランジスタ'}, {'description': {'blocks': [{'key': '8j3a2', 'text': '1965年、インテル社の創設者の一人Gordon Moore氏が提唱した、「半導体における性能の向上は18～24ヶ月で倍増する」という経験に基づく法則を指します。この法則によれば、半導体の集積化は（例えば単位面積当たりの情報記憶量は）指数関数的に向上していきます。この法則は現在でも成立しているとされ、今後の半導体性能の向上予測によく用いられています。しかしながらムーアの法則は半導体の微細加工技術の進展が必要であり、現在、その微細化が物理的な限界に達しつつあるため、既存技術だけではムーアの法則から外れてくることになります。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '64h6d', 'term': 'ムーアの法則'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'dclbe', 'text': '強磁性体中では全磁気モーメント（スピン）が静磁場の軸のまわりを歳差運動しています。強磁性体に対し、その外部から高周波磁場を静磁場に垂直に印加すると、その高周波磁場の周波数が歳差運動の周波数と等しいときに、高周波磁場のもつエネルギーが強く吸収されます。この状態を強磁性共鳴と呼びます。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '7rqhf', 'term': '強磁性共鳴'}, {'description': {'blocks': [{'key': '69mof', 'text': '物質中のスピン流を電流に変換する効果を指します。変換原理は対象物質のスピン軌道相互作用（後述）です。逆スピンホール効果による変換電流は、一般に物質の抵抗を介して起電力（電圧）として検出されます。通常はスピン軌道相互作用の大きな物質ほど、この逆スピンホール効果が大きくなります。尚、「逆」とは、スピンホール効果（電流をスピン流に変換する効果）の逆過程を意味します。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '1dtan', 'term': '逆スピンホール効果'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'ei2mp', 'text': '電子のスピンと電子軌道それぞれの角運動量間の相互作用を指します。一般的傾向として原子番号の大きな元素のほうが強いスピン軌道相互作用を有します。例えば金属ならば、パラジウム(Pd)や白金(Pt)、金(Au)ではこの相互作用が大きく、また半導体ならばGaAs等はスピン軌道相互作用の比較的大きな材料として知られています。 ', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': '9ooav', 'term': 'スピン軌道相互作用'}]}

['es']

['仕幸英治', '久保和樹', '白石誠司']