大型放射光施設SPring－8で電圧磁気効果の新原理解明

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2017-06-23

natural_sciences

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'f67pg', 'text': '電源を切っても記憶された情報が失われないコンピュータ用メモリ。磁気ランダムアクセスメモリ（MRAM）、抵抗変化メモリ（ReRAM）、相変化型メモリ（PRAM）など、データ記憶方式の異なる複数種類のメモリが開発されています。既存の半導体メモリー（DRAM）は揮発性メモリであり、電荷が情報を担うため電源を切ると情報が失われることから情報の保持に待機電力を要します。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': '不揮発性メモリ'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'j89v', 'text': '本資料では「電圧により磁石の磁気異方性の大きさを変えること」を電圧磁気効果と定義します。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term7', 'term': '電圧磁気効果'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'd1abi', 'text': '兵庫県の播磨科学公園都市にある世界最高性能の放射光を生み出す理化学研究所の施設で、高輝度光科学研究センターが運転と利用者支援等を行っている。SPring-8の名前はSuper Photon ring-8 GeV（ギガ電子ボルト）に由来。電子を光とほぼ等しい速度まで加速し、電磁石によって進行方向を曲げた時に発生する、細く強力な電磁波(放射光)を用いて幅広い研究が行われている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term8', 'term': '大型放射光施設SPring－8'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'cli65', 'text': 'ナノ磁石を利用するエレクトロニクス技術。電子が持つ磁石としての性質である「スピン」を電荷とともに利用することで、これまでの技術では実現できなかった新しい機能を持つ電子デバイスの創出を目指しています。代表的な電子デバイスとしては超高密度ハードディスクドライブ用磁気ヘッドや不揮発性磁気メモリMRAMがあります。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'スピントロニクス'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'cckf7', 'text': 'ナノ磁石／絶縁層／ナノ磁石からなる微小素子。それぞれ厚さが100万分の1ミリメートル程度の薄い層から構成されます。絶縁体の両側のナノ磁石は金属であり、電圧を加えると絶縁層（トンネル障壁層）を通してトンネル電流が流れます。2つのナノ磁石の持つ磁極の向きが平行の時と反平行の時とで、素子の電気抵抗が大きく変化します。この抵抗変化率を磁気抵抗比と呼び、不揮発性メモリとして使用する際の読み出し信号の性能指標となります。トンネル障壁層に酸化マグネシウムを用いると100％を超える巨大な磁気抵抗比が得られるため、2004年に産業技術総合研究所によって実証されて以来、酸化マグネシウムトンネル障壁層が標準的に用いられています。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': '磁気トンネル接合素子'}, {'description': {'blocks': [{'key': '3eql6', 'text': '通常、MRAMの駆動には素子に電流を流す必要があります。電圧駆動型MRAMは素子に電流を流さず単に電圧をかけて帯電させるだけで駆動する点が特徴です。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term4', 'term': '電圧駆動型MRAM'}, {'description': {'blocks': [{'key': '9eoqf', 'text': 'ナノ磁石における磁極の向きやすさを意味します。磁気異方性はナノ磁石に電圧をかけると変化させることが可能です。2009年に大阪大学によって実証されて以来、電圧による磁気異方性制御の研究が盛んに行われています。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term5', 'term': '磁気異方性'}, {'description': {'blocks': [{'key': '7m93c', 'text': '外部電圧による磁気異方性制御の効率は面積辺りの磁気異方性エネルギー（fJm －2 ）を電界（Vm －1 ）で割った値で定義されます。本資料では電圧磁気効果の性能指数の単位はすべてfJV －1 m －1 を使用しています。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [{'offset': 39, 'length': 7, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 57, 'length': 7, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 108, 'length': 7, 'style': 'SUPERSCRIPT'}, {'offset': 120, 'length': 7, 'style': 'SUPERSCRIPT'}], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term6', 'term': '電圧により磁気異方性を変化させる効率'}, {'description': {'blocks': [{'key': 'avuj1', 'text': '原子は原子核と原子核の周りを公転運動する電子から構成されます。電子の公転運動による軌道角運動量と相対論的効果として知られるスピン軌道相互作用により軌道磁気モーメントが作られ、磁石における磁極成分の一部を担います。軌道磁気モーメントは放射光X線により測定することが可能であり、スピン軌道相互作用の力を借りて磁気異方性を生みます。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term9', 'term': '軌道磁気モーメント'}, {'description': {'blocks': [{'key': '2jl3g', 'text': '磁気双極子モーメントは原子核の周りの電子分布の偏りに対応する物理量です。軌道磁気モーメント同様、放射光X線により測定できます。磁気双極子モーメントもスピン軌道相互作用の力を借りて磁気異方性を生みます。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term10', 'term': '磁気双極子モーメント'}]}

['es']

['三輪真嗣', '鈴木義茂', '松田健彰', '田中和仁', '塚原拓也', '縄岡孝平', 'Frédéric', 'Bonell']