ドローンや6G に至る高速大容量通信などへの実用化に期待

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2020-10-15 00:00:00

engineering

{'items': [{'description': {'blocks': [{'key': 'd530j', 'text': '電力を制御するパワー半導体チップや絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワーデバイスの駆動回路や自己保護機能を組み込んだ電力用半導体素子である。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term1', 'term': 'パワーモジュール'}, {'description': {'blocks': [{'key': '9f0ap', 'text': 'AE法：', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}, {'key': '6gcp8', 'text': 'AE(Acoustic-Emission)波を材料表面に設置したAEセンサ(圧電素子センサ)によって電気信号に変換して検出し、破壊や変形の様子を非破壊的に評価する手法をAE法と呼ぶ。AEは、材料が破壊に至る前の小さな変形や微小クラックの発生に伴って発生するので、AEの発生挙動を捉えることで、材料や構造物の欠陥や破壊を発見・予知することができる。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term2', 'term': 'AE(Acoustic-Emission)'}, {'description': {'blocks': [{'key': '2ueri', 'text': 'ワイドギャップ半導体との意味で、バンドギャップの大きい半導体を指す。ここでいう「大きい」は相対的なものではっきりとはしないが、シリコンのバンドギャップが1.12eVであることから、その2倍程度である2.2eV程度以上のバンドギャップを持つ場合にワイドギャップと呼ぶことが多い。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}, 'key': 'term3', 'term': 'WBG半導体'}]}

['isir']

['陳伝彤', '菅沼克昭']