Research Subtitle:
ウェアラブルデバイスへの磁気メモリ混載など新たな産業応用展開に期待

Title Image SP:
<plone.namedfile.file.NamedBlobImage object at 0x7fe7ac6bd3c0 oid 0x10d18 in <Connection at 7fe889338c40>>

Announcement Date
2019-11-11

Research Highlight
engineering

Term Index
{'items': [{'key': 'term1', 'term': '固体磁気メモリ', 'description': {'blocks': [{'key': 'eskbs', 'text': '磁性体を用いた不揮発性メモリ(電源を投入しなくても記憶を保持できる情報記録デバイス)。※2で説明するトンネル磁気抵抗素子の抵抗の大きさが0と1の情報に対応している。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term2', 'term': 'トンネル磁気抵抗素子', 'description': {'blocks': [{'key': '43ok7', 'text': '2層の磁性体で薄い絶縁層をサンドイッチした構造を持つ素子。それぞれの層は数ナノメートル程度の厚みをもつ。2層の磁性体の磁化の向きが互いに平行のとき絶縁層を介したトンネル電流が大きく、反平行の時小さい。つまり、磁化が平行の時、素子の抵抗が低く、反平行の時高くなる。これを0と1の情報に対応させることで、※1で説明した磁気メモリのビットとして用いられている。一方、素子の抵抗は磁化の相対角度に依存して連続的に変化するため、外部から加わる磁界に応じて中間的な磁化の相対角度を示す状況にあれば、磁界センサとしても機能する。後者はハードディスクの読み取りヘッドとして用いられている。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}, {'key': 'term3', 'term': 'スピン素子', 'description': {'blocks': [{'key': '3uuhm', 'text': 'ナノメートル程度の厚みを持つ磁性体の薄膜や積層構造を用いた機能性電子デバイス。', 'type': 'unstyled', 'depth': 0, 'inlineStyleRanges': [], 'entityRanges': [], 'data': {}}], 'entityMap': {}}}]}

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['isir']

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['千葉大地', '関谷毅', '太田進也']

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