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高効率で熱を電気に変換する新物質(YbSi2)を発見
大阪大学大学院工学研究科の黒崎健准教授のグループは、株式会社日立製作所と共同で、室温付近で既存材料と同程度の高い熱電変換出力因子を示す新物質:YbSi2を発見しました。これにより、様々な場所に多量に存在する排熱を回収し高品位な電気エネルギーとして再利用する熱電発電技術の実用化が期待できます。 ...
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2017
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高効率で熱を電気に変換する新物質(YbSiGe)
大阪大学大学院工学研究科の黒崎健准教授のグループは、株式会社日立製作所と共同で、室温から100℃付近までの低温域で既存材料よりも高い熱電変換出力因子を示す新物質:YbSiGeを発見しました。昨年、大阪大学と株式会社日立製作所は、共同で、室温付近で高い熱電変換出力因子を示す物質としてイッテルビウムシリサイド:YbSi2を...
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2018
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半導体と金属界面の接触抵抗の評価手法を一新
京都工芸繊維大学 菅原 徹 教授(兼:大阪大学産業科学研究所 招へい教授)らの研究グループは、大阪大学産業科学研究所、トリノ工科大学らと協力し、異なる材料間の界面での接触抵抗を直接比較できる界面物性評価手法を開発し、半導体デバイスの利用条件に適した界面材料を提案できることを明らかにしました。 ...
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2025
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半導体デバイス性能予測シミュレーターの超高速化に成功
JST課題達成型基礎研究の一環として、大阪大学 大学院工学研究科 森 伸也 准教授とミリニコフ・ゲナディ 特任研究員らは、半導体デバイスの特性を原子レベルから計算できる新しいデバイスシミュレーターを開発しました。 ...
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2013