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  1. 窒化ガリウム(GaN)への 世界最高効率・低消費電力スピン注入を室温で実証

    大阪大学大学院基礎工学研究科の山田晋也准教授(当時 助教)、加藤昌稔氏(当時 大学院基礎工学研究科博士前期課程)、浜屋宏平教授、同大学大学院工学研究科の市川修平助教、藤原康文教授らの共同研究グループは、日本発の高性能半導体材料として注目されている窒化ガリウム(GaN)上に高性能スピントロニクス材料(ホイスラー合金磁石)...

    存在位置 大阪大学発 自慢の研究をあなたに / 2023
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